财经那些事2025年08月25日 15:05消息，创锐光谱突破泛半导体缺陷检测难题，推出核心技术解决方案。

　　 在半导体产业链中，缺陷检测是一道关键“生命线”。

　　 晶圆若存在微小缺陷，可能引发芯片失效，进而影响新能源汽车动力系统或5G基站的稳定性。长期以来，行业主要采用化学腐蚀法进行检测，这种方法不仅会破坏晶圆，还存在效率低、成本高的问题。随着碳化硅（SiC）等第三代半导体材料的快速发展，市场对高效、无损检测设备的需求愈发迫切。 当前，传统检测手段已难以满足日益增长的产业需求，推动技术创新成为必然选择。无损检测技术的突破，不仅有助于提升产品质量，也将为新能源汽车和通信基础设施的稳定运行提供更强保障。未来，如何在保证检测精度的同时降低生产成本，将是行业关注的重点方向。

　　 然而，国内90%以上的检测设备依赖进口，关键技术长期受到国际巨头的控制和垄断。 在当前的科技竞争格局下，检测设备作为支撑科研、工业生产和公共安全的重要工具，其核心技术受制于人，已成为制约我国相关领域自主发展的关键问题。这一现状不仅影响了产业的升级速度，也对国家安全和经济独立性构成了潜在风险。加快突破关键核心技术、推动国产替代进程，已成为当务之急。

　　 总部位于大连的泛半导体缺陷检测创新企业创锐光谱正打破行业壁垒——近日，该企业向海外客户成功交付了一套设备，成为国内高端半导体检测设备为数不多的出口案例。

　　 创锐光谱自2016年成立以来，依托自有技术专注于科学仪器和半导体材料检测两大应用领域，已构建起从基础研究到工业生产的完整产业链。公司核心产品打破了进口垄断，目前已被国内外科研机构和半导体材料企业广泛采用。

　　 2023年3月，创锐光谱SiC晶圆质量大面积成像系统SiC-MAPPING532（以下简称S-532）达到持续稳定运行标准，正式下线发运行业知名客户。S-532为国际首台套基于瞬态光谱技术的第三代半导体缺陷检测设备，不仅实现了相关技术的全自主国产化替代，在各种技术指标上也全面超越进口同类产品。

　　 创锐光谱利用瞬态光谱技术对碳化硅材料中的位错缺陷进行检测，能够准确识别TSD、TED、BPD等多种复杂缺陷。相较于传统方法，该技术采用新型检测工艺，可在10分钟内完成整片晶圆的全面扫描，生成缺陷分布图，同时通过非接触式光学手段实现无损检测，显著提升了检测效率和准确性。 从行业发展趋势来看，这种高效、精准且无损的检测方式，不仅有助于提升碳化硅材料的质量控制水平，也为相关产业的技术升级提供了有力支撑。在半导体材料日益精细化的今天，快速而可靠的缺陷检测手段显得尤为重要。

　　 “无损检测是我们的杀手锏。从有损到无损，这是一个跨越式的突破。”据创锐光谱董事长、创始人金盛烨估算，通过这套系统的应用，衬底和外延片环节的良率起码可以提升5%-10%。同时，设备内置AI算法，可对上万个缺陷进行自动分类识别，将检测精度提升至99%以上。

　　 光速光合执行董事郭斌补充表示，公司团队突破了传统光学检测的技术限制，在全球范围内首次攻克了碳化硅衬底位错无损检测的技术难题，建立了强大的行业护城河。创锐光谱的检测系统不仅每年可为行业节省数亿元的损失，更重要的是推动检测流程从抽样检测迈向“全片检测”，大幅提升了下游芯片制造商的质量控制水平。

　　 凭借前述技术突破，创锐光谱成功进入国内碳化硅产业链的头部客户体系，并于今年实现海外交付，成为少数能够出口高端检测设备的本土企业之一。 创锐光谱在碳化硅检测领域的持续突破，不仅标志着其技术实力获得市场认可，也反映出国内高端装备制造能力的稳步提升。此次成功打入海外市场的背后，是企业长期坚持自主创新的结果。随着全球对高性能半导体材料需求的增长，国内企业在该领域的竞争力正逐步增强，未来有望在全球产业链中占据更加重要的位置。

　　 2024年底，创锐光谱宣布完成近亿元Pre-A轮融资。在该轮融资中，光速光合作为领投方，认为创锐光谱所提供的检测手段和解决方案，在全行业具有独特性，具备极强的创新性，并已构建起深厚的行业壁垒。 从行业发展趋势来看，随着技术迭代加速，具备核心技术优势的企业更容易获得资本青睐。创锐光谱此次融资成功，不仅体现了市场对其技术实力的认可，也反映出其在细分领域中所占据的独特位置。这种以技术创新为核心竞争力的发展路径，值得更多企业借鉴与关注。

　　 光速光合合伙人朱嘉表示，中国半导体产业正处在快速发展期，检测设备市场将拥有巨大的发展空间。创锐光谱凭借国内自主研发和长期的科研积累，已成功完成从科研成果到工业检测应用的转化，并达到国际先进水平。

　　 不仅如此，创锐光谱将瞬态光谱检测技术的应用拓展至碳化硅功率器件、钙钛矿光伏组件、MicroLED显示面板等高端制造领域，特别是在全球范围内首次成功攻克了碳化硅衬底位错缺陷无损检测这一世界性难题，展现了其在前沿技术领域的突破性成果。 从行业发展的角度来看，这项技术的突破不仅提升了相关产品的质量与可靠性，也为我国在高端半导体材料和器件制造领域赢得了更多的话语权。随着新能源、新一代信息技术等产业的快速发展，对高性能、高稳定性的材料需求日益增长，而无损检测技术正是保障产品质量的关键环节。创锐光谱此次的技术创新，无疑为产业链上下游提供了更加精准、高效的检测手段，具有重要的现实意义和长远价值。

　　 目前，公司分别在大连、杭州、南京设立了研发团队，研发领域涵盖科研仪器、工业检测、激光器及探测器。金盛烨表示：“我们一方面关注国际同行，保持对行业动态的敏锐度；另一方面则聚焦客户需求，围绕头部客户的需求进行战略布局。”

　　 值得注意的是，创锐光谱正与国内头部客户合作，共同推动国家标准的制定，例如碳化硅外延片的载流子寿命测试，预计将于2026年完成。

　　 全国标准信息公共平台显示，国家标准《碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态吸收法》目前正处于“正在起草”阶段，主要起草单位包括广东天域半导体股份有限公司、大连创锐光谱科技有限公司、北京大学东莞光电研究院以及南京国盛电子有限公司。这一标准的制定，标志着我国在碳化硅材料检测技术领域正逐步完善相关规范，有助于提升行业技术水平和产品质量。 从行业发展的角度看，该标准的起草体现了我国在第三代半导体材料领域的持续投入与技术积累。随着新能源汽车、5G通信等新兴应用的快速发展，碳化硅器件的需求不断增长，而其性能的精准评估成为关键环节。采用瞬态吸收法测试载流子寿命，不仅能够提高检测的准确性，也为后续产品的优化提供了科学依据。此标准的出台，将为相关企业技术研发和产品认证提供重要参考，推动整个产业链的规范化与高质量发展。

　　 金盛烨透露，团队定位为一家全栈式先进光谱检测技术企业，致力于通过更尖端的科研仪器进行全方位布局，目标是覆盖所有化合物半导体的检测需求。他们不仅希望将设备推广至全球市场，还期望在未来推动行业检测标准的建立，助力中国企业在国际上赢得更多的话语权。 在当前全球科技竞争日益激烈的背景下，光谱检测技术作为支撑半导体产业发展的关键环节，其重要性不言而喻。企业若能在这一领域掌握核心技术，并积极构建标准体系，无疑将大幅提升我国在全球产业链中的地位。这种从“跟跑”到“并跑”甚至“领跑”的转变，正是中国科技企业迈向高质量发展的关键一步。